干字當頭 奮發(fā)有為｜3天5款“設計包” 成果轉(zhuǎn)化結(jié)碩果

4月8日，推出8寸硅基薄膜鈮酸鋰、微機電系統(tǒng)領域兩款光子芯片工藝設計包;4月9日，推出硅基薄膜鉭酸鋰光子芯片工藝包，為國內(nèi)首個;4月10日，發(fā)布石英基薄膜鈮酸鋰、硅光領域兩款光子芯片工藝設計包，其中石英基薄膜鈮酸鋰工藝包為國內(nèi)首個。

近日，南京南智先進光電集成技術(shù)研究院(下稱“南智光電”)研發(fā)團隊迎來“大豐收”。研發(fā)工程師們興奮不已，但工作節(jié)奏絲毫未變。“客戶試用后，反饋效果不錯。我們要趁熱打鐵，根據(jù)個性化需求再進一步優(yōu)化產(chǎn)品。”資深工程師葉志霖說。

南智光電2018年創(chuàng)建于南京江北新區(qū)，是江蘇省光電技術(shù)創(chuàng)新中心建設單位，也是南京市首批中試平臺，其主要業(yè)務是為光電領域提供技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化服務。去年6月，南智光電發(fā)布晶圓級薄膜鈮酸鋰光子芯片工藝設計包，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)該技術(shù)標準化落地的機構(gòu)。同年12月，南智光電建成并投用國內(nèi)首條鈮酸鋰光子芯片產(chǎn)線，實現(xiàn)8寸薄膜鈮酸鋰晶圓穩(wěn)定流片，全年光子芯片流片及產(chǎn)品開發(fā)收入突破1億元。

工藝設計包是芯片設計和制造之間的橋梁，是芯片制造過程中標準設計規(guī)則和參數(shù)的集合，可以確保設計和制造的一致性，降低芯片制造風險。南智光電技術(shù)研發(fā)總監(jiān)嚴仲介紹，5款新工藝設計包在芯片設計接口、工藝流程標準化等方面取得大幅提升，有效降低芯片設計團隊的研發(fā)難度和不確定性，加速技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。

這5款產(chǎn)品研發(fā)周期最長的達兩年，最短的也有7個月。公司研發(fā)團隊40余人分成三組，不分晝夜攻克難關(guān)，95后成為骨干力量。葉志霖剛剛收到客戶反饋，一家企業(yè)利用內(nèi)部測試版的工藝設計包設計芯片，正在進行第三輪驗證，馬上就會進行芯片小批量生產(chǎn)，讓他和團隊成就感十足。

眼下，南智光電新規(guī)劃的2萬平方米光子芯片產(chǎn)線項目已開工建設，有望今年年底建成投用。這條全新的產(chǎn)線能夠滿足光子芯片高標準制造需求，將有更多高水平光子芯片從這里產(chǎn)出。

新華日報·交匯點記者 許雯斐