中芯國際披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％

2019年，中芯國際量產(chǎn)了國內(nèi)最先進的14nm工藝制程，并已為華為麒麟710A處理器等進行代工。目前，中芯國際正在回歸A股上市，計劃募資200億元，主要就是投入14nm等先進工藝的開發(fā)。

6月7日晚間，中芯國際在上交所公布了對第一輪審核問詢函的回復(fù)，僅用4天，創(chuàng)造了一個新紀(jì)錄，而在六大類、29個問題中，最引人關(guān)注的當(dāng)屬對于新工藝細節(jié)的披露。

中芯國際表示，14nm晶圓代工產(chǎn)能正處于初期布局階段，因此全球份額相對較低，不過第一代14nm FinFET技術(shù)已進入量產(chǎn)階段，而且技術(shù)上處于國際領(lǐng)先水平，且具有一定的性價比，目前已同眾多客戶開展合作，預(yù)測產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。

中芯國際透露，利用其先進FinFET技術(shù)在晶圓上所制成的芯片，已應(yīng)用于智能手機領(lǐng)域。雖未進一步明確，但顯然指的就是華為麒麟710A。

在下一代技術(shù)節(jié)點的開發(fā)上，全球純晶圓代工廠僅剩臺積電、中芯國際兩家，第二代FinFET技術(shù)目前已進入客戶導(dǎo)入階段，與第一代對比有望在性能上提高約20% ，功耗降低約60%。

中芯國際表示，14nm及以下先進工藝主要應(yīng)用于5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領(lǐng)域，未來發(fā)展前景廣闊，而隨著相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，先進工藝的市場需求將持續(xù)上升，市場份額將不斷擴大，成為集成電路晶圓代工市場新的增長點。

根據(jù)招股書披露，中芯國際本次計劃發(fā)行不超過16.86億股新股，預(yù)計募資200億元人民幣，計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元)、先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金(40億元)、補充流動資金(80億元)。

其中，12英寸芯片SN1項目是中國大陸第一條14nm及以下先進工藝生產(chǎn)線，規(guī)劃月產(chǎn)能為3.5萬片晶圓，目前已建成月產(chǎn)能6000片。

本次問詢中，中芯國際又對募集資金投資項目的風(fēng)險進行了補充披露：12英寸芯片SN1項目的總投資額為90.59億元美元，其中生產(chǎn)設(shè)備購置及安裝費達733016萬美元。

SN1項目達產(chǎn)后將會貢獻額外的先進制程收入，但同時帶來較高的折舊成本壓力。 隨著14納米及下一代制程的產(chǎn)線投產(chǎn)、擴產(chǎn)， 公司一定時期內(nèi)會面臨較大的折舊壓力，該部分業(yè)務(wù)毛利率可能會低于公司平均水平，存在經(jīng)濟效益不達預(yù)期，甚至產(chǎn)生較大額度虧損的風(fēng)險。

此外，中芯國際還對研發(fā)費用率遠高于同行的原因及合理性進行了說明。數(shù)據(jù)顯示，2019年臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、華虹半導(dǎo)體的研發(fā)費用分別為211億元、47億元、27億元、4億元，相應(yīng)占營收比重分別為9%、22%、8%、7%。

中芯國際表示，為加強在先進制程方面的技術(shù)實力，公司不斷加大先進制程的研發(fā)投入，相繼實現(xiàn)了28nm HKC+工藝、第一代 14nm FinFET工藝的研發(fā)和量產(chǎn)，第二代14nm FinFET工藝的研發(fā)也在穩(wěn)健進行中，并不斷拓展成熟工藝應(yīng)用平臺，因此公司研發(fā)費用率高于可比上市公司。